[发明专利]一种工业化大规模生产碳化硅粉体的方法有效
| 申请号： | 201611002873.1 | 申请日： | 2016-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN106430212B | 公开（公告）日： | 2017-08-22 |
| 发明（设计）人： | 陈琦;尹龙卫;银航;李显坪;俞欢 | 申请（专利权）人： | 扬州中天利新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/984 | 分类号： | C01B32/984 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种工业化大规模生产碳化硅粉体的方法，涉及高纯SiC粉体的一种工业化规模生产方法。本发明选择卤硅烷或者硅烷作为原始硅源，采用分段加热的方法，特别是采用研磨工艺，使得混合物混合更加均匀。本发明还利用定向凝聚对产品进行偏析提纯，使得生产过程的污染较小；采用了前体水解和高温碳化相结合的方法，使得硅粉和碳粉能够均匀混合，从而保证最终产物较好的均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 工业化 大规模 生产 碳化硅 方法 | ||
【主权项】：
一种工业化大规模生产碳化硅粉体的方法，其特征在于包括以下步骤：1）将硅源与氢气混合在环境温度>1000℃条件下反应，得到纯度>4N的 Si粉；将具有小分子有机物的碳源提纯后在无氧条件下高温碳化得到纯度>4N的C粉；所述硅源为卤硅烷或者硅烷；2）将所述Si粉和C粉以1∶1的摩尔比混合后，加入高纯水进行水解反应，得到SiO2和C的均质浆料；3）将SiO2和C的均质浆料置于150～300℃温度环境中进行造粒干燥，然后在600～800℃温度环境中热解碳化，取得碳化后混合物；4）将碳化后混合物置于500～600℃温度环境中预烧，除去混合物表面残留的水蒸气和空气，然后将混合物进行研磨后置于1400～1900℃温度环境中进行中温合成，取得碳化硅粉体粗品；5）将碳化硅粉体粗品经提纯后，取得碳化硅粉体精品。
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