[发明专利]一种微波探测元件以及微波探测器有效
申请号: | 201611004502.7 | 申请日: | 2016-11-15 |
公开(公告)号: | CN108075034B | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
发明(设计)人: | 方彬;唐伟;罗鑫;熊荣欣;蔡佳林;曾中明;张宝顺 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L43/00 | 分类号: | H01L43/00;H01L43/08 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 215123 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种微波探测元件,包括相对设置的绝缘层和第一磁性层;绝缘层施加有偏置电压时,绝缘层的邻近于第一磁性层的界面产生电场或发生应力形变,以改变第一磁性层的磁性。根据本发明的微波探测元件基于电场调控,利用各向异性磁电阻效应或巨磁电阻效应,实现微波探测。根据本发明的微波探测元件,在微波探测的过程中,采用电场作用而非电流作用,可以有效降低器件功耗,且具有尺寸小、功耗低、灵敏度高的优点,可以实现高信噪比的微波探测;与此同时,其可在常温下工作,对探测方式没有限制,可以广泛地应用于微波输能、多路通信等领域。本发明还公开了具有上述微波探测元件的微波探测器。 | ||
搜索关键词: | 一种 微波 探测 元件 以及 探测器 | ||
【主权项】:
1.一种微波探测元件,其特征在于,包括叠层设置的绝缘层和第一磁性层;所述绝缘层在施加有偏置电压时,所述绝缘层的邻近所述第一磁性层的界面产生电场或发生应力形变,以改变所述第一磁性层的磁性。
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