[发明专利]一种磁通门传感器芯片有效
| 申请号： | 201611005078.8 | 申请日： | 2016-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN106569153B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 雷冲;周勇 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G01R33/05 | 分类号： | G01R33/05 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 郑立 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁通门传感器芯片，涉及MEMS集成微制造领域，包括高阻硅衬底、激励线圈、检测线圈、磁芯、电极和二氧化硅薄膜；其中激励线圈和检测线圈均为微机电三维螺线管线圈，激励线圈和检测线圈的底层线圈位于高阻硅衬底表面的硅微槽阵列内，底层线圈上表面与硅衬底表面平齐，底层线圈通过二氧化硅薄膜与硅衬底和磁芯绝缘；底层线圈、磁芯与顶层线圈之间均通过二氧化硅薄膜绝缘。本发明采用二氧化硅薄膜进行绝缘包覆提高集成化磁通门传感器芯片的机械强度，且实现与微电子工艺的完全兼容，可实现集成化磁通门传感器芯片与CMOS接口电路的兼容同步集成制造。 | ||
| 搜索关键词： | 磁通门传感器 二氧化硅薄膜 底层线圈 激励线圈 检测线圈 芯片 磁芯 硅衬底表面 硅衬底 集成化 高阻 绝缘 兼容 螺线管线圈 微电子工艺 集成制造 绝缘包覆 微槽阵列 上表面 微机电 微制造 电极 顶层 平齐 三维 | ||
【主权项】：
1.一种磁通门传感器芯片，包括高阻硅衬底、激励线圈、检测线圈、磁芯、电极，其特征在于，所述激励线圈和所述检测线圈均为微机电三维螺线管线圈，所述激励线圈和所述检测线圈的底层线圈位于所述高阻硅衬底表面的硅微槽阵列内，所述底层线圈的上表面与所述高阻硅衬底表面平齐，所述底层线圈通过二氧化硅薄膜与所述高阻硅衬底和所述磁芯绝缘；所述底层线圈、所述磁芯与顶层线圈之间均通过二氧化硅薄膜绝缘，所述顶层线圈表面覆盖二氧化硅薄膜；所述硅微槽阵列采用干法刻蚀工艺在所述高阻硅衬底表面刻蚀形成，所述硅微槽阵列的微槽宽度及间隙均为50μm；采用MEMS技术硅工艺与非硅工艺相结合的方法，所述二氧化硅薄膜位于所述高阻硅衬底与所述底层线圈之间、所述底层线圈与所述磁芯之间、所述磁芯与所述顶层线圈之间以及所述顶层线圈的表面，所述二氧化硅薄膜的厚度为1μm。
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