[发明专利]平面型金属氧化物半导体场效应管及其制造方法在审
| 申请号： | 201611006302.5 | 申请日： | 2016-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN106571397A | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 张瞾;康剑;任炜强 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/768;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种平面型金属氧化物半导体场效应管及其制造方法，平面型金属氧化物半导体场效应管包括第一导电类型的衬底、衬底上的第二导电类型掺杂区、第二导电类型掺杂区内的第一导电类型掺杂区、衬底上的栅氧化层、以及栅氧化层上的多晶硅栅极、多晶硅栅极两侧的绝缘侧墙、多晶硅栅极上的介质隔离氧化层、以及介质隔离氧化层上的金属层，金属层从两相邻的多晶硅栅极及两相邻的绝缘侧墙之间向下伸入第一导电类型掺杂区，并向下穿过第一导电类型掺杂区与第二导电类型掺杂区连接。本发明的MOSFET面积明显缩小，原胞电流密度增大，圆片上有效管芯数增大，从而降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 金属 氧化物 半导体 场效应 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种平面型金属氧化物半导体场效应管，包括第一导电类型的衬底、所述衬底上的第二导电类型掺杂区、所述第二导电类型掺杂区内的第一导电类型掺杂区、所述衬底上的栅氧化层、以及所述栅氧化层上的多晶硅栅极，其特征在于，还包括所述多晶硅栅极两侧的绝缘侧墙和多晶硅栅极上的介质隔离氧化层，以及所述介质隔离氧化层上的金属层，且所述金属层从两相邻的多晶硅栅极及两相邻的绝缘侧墙之间向下伸入所述第一导电类型掺杂区，并向下穿过所述第一导电类型掺杂区与所述第二导电类型掺杂区连接，从而将所述第一导电类型掺杂区和所述第二导电类型掺杂区连接成等电位；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳深爱半导体股份有限公司，未经深圳深爱半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611006302.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：加工颗粒
- 下一篇：由源自多能干细胞的细胞形成的神经网络
- 同类专利
- 专利分类
