[发明专利]半导体元件在审
| 申请号： | 201611007441.X | 申请日： | 2016-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN107180821A | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | 胡嘉欣;范学实;黄焕宗 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露提供一种半导体元件，包含鳍、多个磊晶生长区，以及至少二接触点。鳍自基板向外延伸，且包含半导体材料。磊晶生长区沿着鳍的上表面配置，其中在鳍的上表面，磊晶生长区与不具有磊晶材料的多个区域交替排列。接触点配置于与鳍电接触，其中接触点之间的电阻值至少部分取决于磊晶生长区的排列。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，其特征在于，包含：一鳍，自一基板向外延伸，该鳍包含半导体材料；多个磊晶生长区，配置于沿着该鳍的上表面，其中在该鳍的上表面，所述多个磊晶生长区与不具有磊晶材料的多个区域交替排列；以及至少二接触点，配置于与该鳍电接触，其中所述接触点之间的一电阻值至少部分取决于所述多个磊晶生长区的排列。
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