[发明专利]一种用于碳化硅高温退火表面保护的碳膜快速制备方法在审
申请号: | 201611011362.6 | 申请日: | 2016-11-17 |
公开(公告)号: | CN106653581A | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 向安;李俊焘;代刚;徐星亮;肖承全;张林;周阳;杨英坤;张龙 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
主分类号: | H01L21/04 | 分类号: | H01L21/04 |
代理公司: | 成都天嘉专利事务所(普通合伙)51211 | 代理人: | 蒋斯琪 |
地址: | 621900 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明提供了一种用于碳化硅高温退火表面保护的碳膜快速制备方法,即在碳化硅器件离子注入激活前旋涂光敏抗蚀剂,对旋涂在碳化硅正反面的光敏抗蚀剂进行快速热退火,热分解后形成均匀碳膜;高温退火激活过程中,碳膜抑制碳化硅器件表层的碳化硅材料分解;退火激活后,通过热氧化彻底去除碳膜。本发明可以有效地保护碳化硅器件表面,降低高温退火引起碳化硅器件表面粗糙度,显著增加碳化硅离子注入激活工艺的效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 碳化硅 高温 退火 表面 保护 快速 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种碳化硅高温退火表面保护碳膜的快速制备方法,其特征在于:碳化硅器件高温激活前,在碳化硅器件的正、反两面旋涂光敏抗蚀剂,低温烘烤去除光致抗蚀剂中的有机溶剂;通过快速热退火方法使光致抗蚀剂在无氧环境下热分解,形成均匀的碳膜;覆盖有碳膜的碳化硅器件在高温下进行退火激活杂质离子;杂质离子注入激活后,在纯氧气和高温环境下,去除碳化硅器件正、反两面的碳膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造