[发明专利]一种用于碳化硅高温退火表面保护的碳膜快速制备方法在审

专利信息
申请号: 201611011362.6 申请日: 2016-11-17
公开(公告)号: CN106653581A 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: 向安;李俊焘;代刚;徐星亮;肖承全;张林;周阳;杨英坤;张龙 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院电子工程研究所
主分类号: H01L21/04 分类号: H01L21/04
代理公司: 成都天嘉专利事务所(普通合伙)51211 代理人: 蒋斯琪
地址: 621900 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供了一种用于碳化硅高温退火表面保护的碳膜快速制备方法,即在碳化硅器件离子注入激活前旋涂光敏抗蚀剂,对旋涂在碳化硅正反面的光敏抗蚀剂进行快速热退火,热分解后形成均匀碳膜;高温退火激活过程中,碳膜抑制碳化硅器件表层的碳化硅材料分解;退火激活后,通过热氧化彻底去除碳膜。本发明可以有效地保护碳化硅器件表面,降低高温退火引起碳化硅器件表面粗糙度,显著增加碳化硅离子注入激活工艺的效率。
搜索关键词: 一种 用于 碳化硅 高温 退火 表面 保护 快速 制备 方法
【主权项】:
一种碳化硅高温退火表面保护碳膜的快速制备方法,其特征在于:碳化硅器件高温激活前,在碳化硅器件的正、反两面旋涂光敏抗蚀剂,低温烘烤去除光致抗蚀剂中的有机溶剂;通过快速热退火方法使光致抗蚀剂在无氧环境下热分解,形成均匀的碳膜;覆盖有碳膜的碳化硅器件在高温下进行退火激活杂质离子;杂质离子注入激活后,在纯氧气和高温环境下,去除碳化硅器件正、反两面的碳膜。
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