[发明专利]一种TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜、其快速原位制备方法及应用有效
申请号: | 201611012978.5 | 申请日: | 2016-11-17 |
公开(公告)号: | CN106847666B | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 马晓;母事理;李相波;闫永贵 | 申请(专利权)人: | 中国船舶重工集团公司第七二五研究所 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L31/028;H01L31/032;H01L31/074;B82Y30/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 266000 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明提供一种TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜、其快速原位制备方法及应用,属于材料合成领域。本发明以钛箔经阳极氧化得到的TiO2有序纳米管阵列模板,以水热法为基础,采用微波为能量源,TiO2有序纳米管阵列模板在Ba(OH)2和GO的前驱体混合溶液中反应,通过控制反应参数,使部分TiO2有序纳米管阵列模板原位反应生成BaTiO3的同时,将分散性好的RO原位还原,一步制备出高性能的TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜,有效解决了石墨烯分散性不良、TiO2光电性能欠佳及水热合成时间较长等问题,促进TiO2复合材料在光生阴极保护领域的应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 tio2 batio3 rgo 三元 复合 光电 薄膜 快速 原位 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜的快速原位制备方法,其特征在于,该TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜,包括如下组分:TiO2、BaTiO3和RGO,其中,BaTiO3在TiO2表面通过原位反应生成TiO2/BaTiO3有序纳米管阵列,RGO则分布在TiO2/BaTiO3有序纳米管阵列的表面及管内;TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜以钛箔经阳极氧化得到的TiO2有序纳米管阵列模板,以水热法为基础,采用微波为能量源,TiO2有序纳米管阵列模板在Ba(OH)2和GO的前驱体混合溶液中反应,使部分TiO2有序纳米管阵列模板原位反应生成BaTiO3的同时,将分散性好的RO原位还原,一步制备出的TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜;具体包括如下步骤:1)钛基表面TiO2纳米管的制备:将钛箔超声清洗、化学抛光,然后以铂片为阴极,钛箔为阳极,在NH4F和H2O的甘油溶液中阳极氧化,阳极氧化后钛基表面TiO2纳米管的直径为100 nm‑160 nm;2)前驱体混合溶液的制备:在搅拌条件下,将Ba(OH)2溶解于水中,形成Ba(OH)2的澄清溶液,称为A液;将氧化石墨烯GO溶解于水中,分散均匀后制得GO的水溶液,称为B液;在搅拌条件下,将A液缓慢滴加到B液中,形成前驱体混合溶液,称为C液,其中C液中Ba2+含量在0.005 mol/L–0.02 mol/L,GO含量在0.25 g/L‑0.80 g/L;3)TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜的制备:将步骤1)制备的TiO2纳米管试样与步骤2)制备的C液转移到聚四氟乙烯反应容器中,保持填充率为40%,设定微波水热反应仪的升温速率为5‑20℃/min,反应温度为120‑150℃,保温时间为5‑30min,进行微波水热合成反应;4)待反应完成,再经煅烧处理、随炉冷却至室温后,即得TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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