[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本公开实施例提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括鳍结构、第一栅极结构、第二栅极结构、源极/漏极区、源极/漏极接触、分隔物和接触源极/漏极接触的介层孔插塞和接触介层孔插塞的导线。鳍结构突出于隔绝绝缘层且以第一方向延伸。第一栅极结构和第二栅极结构，形成于鳍结构上方且以交叉于第一方向的第二方向延伸。源/漏极区设置于第一栅极结构和第二栅极结构之间。层间绝缘层设置于鳍结构、第一栅极结构、第二栅极结构和源/漏极区上方。源极/漏极接触层，设置于源/漏极区上。分隔物设置相邻于源极/漏极接触。第一栅极结构的末端、第二栅极结构的末端和源极/漏极接触的末端接触分隔物的相同面。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：于一第一鳍结构的一部分和一第二鳍结构的一部分上方形成一第一栅极结构和一第二栅极结构，该第一鳍结构的该部分和该第二鳍结构的该部分设置于一基板上方，以一第一方向延伸，以交叉于该第一方向的一第二方向配置，该第一鳍结构的该部分和该第二鳍结构的该部分彼此平行且突出于一隔绝绝缘层，该第一栅极结构和该第二栅极结构以该第二方向延伸且以该第一方向配置，该第一栅极结构和该第二栅极结构彼此平行；于该第一栅极结构和该第二栅极结构上方形成一层间绝缘层；于该层间绝缘层上方形成具有一第一开口的一第一掩模层，该第一开口位于该第一栅极结构和该第二栅极结构上方；穿过该第一开口切割该第一栅极结构和该第二栅极结构，且穿过该第一开口蚀刻设置该第一栅极结构和该第二栅极结构之间的该隔绝绝缘层和该层间绝缘层，以形成一第一凹陷；于该第一凹陷中形成一绝缘层；形成具有一第二开口的一第二掩模层以暴露位于该第一凹陷中的该绝缘层的一部分和该层间绝缘层的一部分，该第二开口位于该第一鳍结构上方；穿过该第二开口蚀刻该层间绝缘层的该暴露部分，以于该第一鳍结构上方形成至少一个第二凹陷；以及于至少该个第二凹陷中形成一导电材料，以形成一第一源极/漏极接触层。