[发明专利]光刻方法在审
| 申请号： | 201611021155.9 | 申请日： | 2016-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN107015432A | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 翁明晖;刘朕与;张庆裕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 张福根 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 根据一些实施例提供一种光刻方法。该光刻方法包括提供基底；形成交联层于基底上方，其中交联层与基底接触；形成图案化层于交联层上方；藉由使用图案化层作为掩模，以形成图案于交联层及基底中；藉由使用辐射源来处理交联层，以将交联层转变为具有减少的分子量的去交联层；以及藉由使用不会导致基底损坏的溶液以移除去交联层。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻方法，包括：形成一交联层于一基底上方；藉由使用一辐射源以处理该交联层，从而减少该交联层的分子量；以及藉由使用一溶液以移除具有减少的分子量的该交联层。
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