[发明专利]一种具有梳状电流分布的半导体激光器及其制作方法在审
| 申请号： | 201611021415.2 | 申请日： | 2016-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN106785884A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 林琦;林中晞;陈景源;陈阳华;苏辉;薛正群;王凌华;林乐 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙)11535 | 代理人： | 刘元霞,张祖萍 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有梳状电流分布的半导体激光器及其制作方法，其中半导体激光器包括衬底、金属接触层和欧姆接触层，所述衬底、金属接触层和欧姆接触层之一采用电阻梳状分布结构，或者所述衬底与金属接触层采用电阻梳状分布结构，或者所述衬底与欧姆接触层采用电阻梳状分布结构，或者所述金属接触层与欧姆接触层采用电阻梳状分布结构，或者所述衬底、金属接触层和欧姆接触层采用电阻梳状分布结构。本发明通过将激光器的金属接触区或者欧姆接触区制作为电阻梳状分布结构来实现具有增益‑折射率复合耦合光栅的半导体激光器。本发明可以不涉及二次外延工艺，简化了器件的制作难度，同时，还保留了增益耦合光栅半导体激光器的诸多优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 电流 分布 半导体激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有梳状电流分布的半导体激光器，其特征在于，半导体激光器包括衬底、金属接触层和欧姆接触层，其中，所述衬底、金属接触层和欧姆接触层之一采用电阻梳状分布结构，或者所述衬底与金属接触层采用电阻梳状分布结构，或者所述衬底与欧姆接触层采用电阻梳状分布结构，或者所述金属接触层与欧姆接触层采用电阻梳状分布结构，或者所述衬底、金属接触层和欧姆接触层采用电阻梳状分布结构。
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