[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置在审
申请号: | 201611021606.9 | 申请日: | 2016-11-21 |
公开(公告)号: | CN108083225A | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 陈福成 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;B81B7/00 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 高伟;冯永贞 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括:提供晶圆,在所述晶圆的正面依次形成有振膜、牺牲层和背板;在所述晶圆的背面形成感光固化胶,以覆盖所述晶圆的背面;对所述感光固化胶进行光刻和固化,以露出部分所述晶圆的背面;对露出的所述晶圆的背面进行蚀刻,以形成背腔并露出所述振膜,同时保留剩余的所述感光固化胶。在所述方法中在所述晶圆的背面利用低温的感光固化胶(例如聚酰亚胺(polyimide)或者类似材料,其固化温度在200℃以下作为掩膜(mask)来刻蚀背腔,仅需去除聚合物(polymer)。同时所述低温的感光固化胶作为永久膜留在背面,可以增加背腔空间,提升麦克风的电容值,从而提升其低频区的敏感性。 | ||
搜索关键词: | 晶圆 固化胶 背面 感光 背腔 电子装置 振膜 制备 固化 蚀刻 聚酰亚胺 类似材料 聚合物 麦克风 低频区 牺牲层 永久膜 电容 背板 光刻 刻蚀 去除 掩膜 保留 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种MEMS器件的制备方法,其特征在于,所述方法包括:提供晶圆,在所述晶圆的正面依次形成有振膜、牺牲层和背板;在所述晶圆的背面形成感光固化胶,以覆盖所述晶圆的背面;对所述感光固化胶进行光刻和固化,以露出部分所述晶圆的背面;对露出的所述晶圆的背面进行蚀刻,以形成背腔并露出所述振膜,同时保留剩余的所述感光固化胶。
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