[发明专利]在基体的表面形成凸起结构的方法有效

专利信息
申请号: 201611024171.3 申请日: 2016-11-14
公开(公告)号: CN108074806B 公开(公告)日: 2020-05-26
发明(设计)人: 丁刘胜 申请(专利权)人: 上海新微技术研发中心有限公司
主分类号: H01L21/306 分类号: H01L21/306;H01L21/027;G03F7/20;G03F7/00
代理公司: 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 代理人: 刘元霞
地址: 201800 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 本申请提供一种在基体的表面形成凸起结构的方法,通过在牺牲层的凹陷部中填充掩模层材料来形成凸起形状的掩模层图形,所以,能够依靠蚀刻等工艺来调整掩模层图形的大小和曲率等形状参数,从而在基体表面制造出满足设计要求的凸起结构。
搜索关键词: 基体 表面 形成 凸起 结构 方法
【主权项】:
1.一种在基体的表面形成凸起结构的方法,其特征在于,该方法包括:在基体的表面形成牺牲层;在所述牺牲层表面形成第一掩模层;在所述第一掩模层中形成开口图形,并对从所述开口图形底部露出的所述牺牲层进行蚀刻,以在所述牺牲层中形成与该开口图形对应的凹陷部,所述基体的表面从所述凹陷部的底部露出;去除所述第一掩模层的剩余部分;在所述凹陷部内填充第二掩模层材料,以形成与所述凹陷部的形状对应的第二掩模层图形;去除所述牺牲层的剩余部分,并在所述基体的表面保留所述第二掩模层图形;以所述第二掩模层图形为蚀刻掩模,对所述基体的表面进行蚀刻,以在所述基体的表面形成凸起结构。
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