[发明专利]在基体的表面形成凸起结构的方法有效
申请号: | 201611024171.3 | 申请日: | 2016-11-14 |
公开(公告)号: | CN108074806B | 公开(公告)日: | 2020-05-26 |
发明(设计)人: | 丁刘胜 | 申请(专利权)人: | 上海新微技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/027;G03F7/20;G03F7/00 |
代理公司: | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人: | 刘元霞 |
地址: | 201800 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供一种在基体的表面形成凸起结构的方法,通过在牺牲层的凹陷部中填充掩模层材料来形成凸起形状的掩模层图形,所以,能够依靠蚀刻等工艺来调整掩模层图形的大小和曲率等形状参数,从而在基体表面制造出满足设计要求的凸起结构。 | ||
搜索关键词: | 基体 表面 形成 凸起 结构 方法 | ||
【主权项】:
1.一种在基体的表面形成凸起结构的方法,其特征在于,该方法包括:在基体的表面形成牺牲层;在所述牺牲层表面形成第一掩模层;在所述第一掩模层中形成开口图形,并对从所述开口图形底部露出的所述牺牲层进行蚀刻,以在所述牺牲层中形成与该开口图形对应的凹陷部,所述基体的表面从所述凹陷部的底部露出;去除所述第一掩模层的剩余部分;在所述凹陷部内填充第二掩模层材料,以形成与所述凹陷部的形状对应的第二掩模层图形;去除所述牺牲层的剩余部分,并在所述基体的表面保留所述第二掩模层图形;以所述第二掩模层图形为蚀刻掩模,对所述基体的表面进行蚀刻,以在所述基体的表面形成凸起结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新微技术研发中心有限公司,未经上海新微技术研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611024171.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:晶片的加工方法
- 下一篇:含氮材料选择性蚀刻方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造