[发明专利]鳍式场效晶体管的制作方法

摘要

一种鳍式场效晶体管的制作方法，包括图案化衬底以形成多个沟槽以及位于沟槽之间的半导体鳍片。于沟槽内形成多个绝缘体，并且形成第一介电层以覆盖半导体鳍片与绝缘体。于第一介电层上形成拟栅极条。于拟栅极条的侧壁上形成多个间隙物拟栅极条。移除拟栅极条与位于其下方的第一介电层直到间隙物的侧壁、半导体鳍片的一部分以及绝缘体的多个部分被暴露出来。形成第二介电层以顺应地覆盖间隙物的侧壁、半导体鳍片被暴露出来的部分以及绝缘体被暴露出来的部分，其中第一介电层的厚度小于第二介电层的厚度。于第二介电层上以及间隙物之间形成栅极。

主权项

一种鳍式场效晶体管的制作方法，其特征在于，包括：图案化衬底以形成多个位于所述衬底内的沟槽以及位于所述多个沟槽之间的半导体鳍片；于所述多个沟槽内形成多个绝缘体；形成第一介电层以覆盖所述半导体鳍片与所述多个绝缘体；于所述第一介电层上形成拟栅极条，所述拟栅极条的长度方向不同于所述半导体鳍片的长度方向；于所述拟栅极条的多个侧壁上形成一对间隙物；移除所述拟栅极条与位于所述拟栅极条下方的所述第一介电层直到所述一对间隙物的多个侧壁、所述半导体鳍片的一部分以及所述多个绝缘体的多个部分被暴露出来；形成第二介电层以顺应地覆盖所述间隙物的侧壁、所述半导体鳍片被暴露出来的所述部分以及所述绝缘体被暴露出来的部分，其中所述第一介电层的厚度小于所述第二介电层的厚度；以及于所述第二介电层上以及所述一对间隙物之间形成栅极。