[发明专利]一种电子封装微焊点的制备方法有效
| 申请号： | 201611024965.X | 申请日： | 2016-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN106513890B | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 赵宁;钟毅;董伟;黄明亮;马海涛 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | B23K1/00 | 分类号： | B23K1/00;B23K1/20 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 梅洪玉;潘迅 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电子封装微焊点的制备方法，包括：在第一基底上依次制备第一金属焊盘、第一可焊层和微凸点；在第二基底上依次制备第二金属焊盘和第二可焊层；将微凸点和第二金属焊盘一一对准、接触放置，形成一个组合体，选择所需的回流曲线对组合体进行钎焊回流，依次经历预热区、回流区和冷却区，在冷却区内使第一金属焊盘和第二金属焊盘之间形成温度梯度，至微凸点由液态全部转变为固态形成微焊点。本发明能够实现微焊点钎料基体中的Sn晶粒取向可调控，形成的单一择优取向微焊点，与半导体和封装技术工艺有良好的兼容性，具有良好的抗电迁移和热迁移可靠性，能够实现第一基底和第二基底之间的互连，提高微焊点或者具有以上材料组织及结构特征的器件的服役寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子 封装 微焊点 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子封装微焊点的制备方法，其特征在于以下步骤：步骤一：提供第一基底(10)，在所述第一基底(10)上制备至少一个第一金属焊盘(20)，在所述第一金属焊盘(20)上制备微凸点(24)；提供第二基底(30)，在所述第二基底(30)上制备至少一个第二金属焊盘(40)；所述第一金属焊盘(20)和第二金属焊盘(40)具有相同的材质，且具有相同的排布图形；所述第一金属焊盘(20)为单晶或者具有择优取向；所述微凸点(24)中Sn的质量分数不小于95％；所述微凸点(24)的直径不大于100微米；步骤二：将微凸点(24)和第二金属焊盘(40)一一对准，并接触放置，形成一个组合体；步骤三：选择所需的回流曲线对步骤二形成的组合体进行钎焊回流，所述回流曲线包括预热区、回流区和冷却区；所述回流区的峰值回流温度至少比微凸点(24)的熔化温度高10℃；在所述冷却区内，使第一金属焊盘(20)的冷却速率高于第二金属焊盘(40)的冷却速率，即在第一金属焊盘(20)和第二金属焊盘(40)之间形成温度梯度，且第一金属焊盘(20)的温度低于第二金属焊盘(40)的温度，直至微凸点(24)由液态全部转变为固态形成微焊点；所述温度梯度的范围是不小于10℃/cm；所述第一金属焊盘(20)的冷却速率不小于5℃/min；所述第一金属焊盘(20)和第二金属焊盘(40)在钎焊回流后均有剩余；所述钎焊回流结束后微焊点基体组织中的Sn晶粒具有择优取向特征。
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