[发明专利]基于伪测量值法的薄层硅片电阻率检测方法及系统

摘要

本发明涉及基于伪测量值法的薄层硅片电阻率检测方法及系统，该方法的步骤是1)确定标准硅片的基本参数，包括直径、P/N型、厚度、晶向，测试样片和标准硅片的直径、P/N型、厚度和晶向参数相同；2)根据标准硅片的基本参数建立数学模型；3)根据数学模型选择激励方式和电极数量，设定硅片内各微区节点坐标；4)应用伪测量值法测量电阻率。该方法可以解决现有技术无法满足的要求，能够实时快速地检测出薄层硅片的电阻率，得到硅片电阻率的整体分布图，从而甄别工业生产中出现的残次品。

主权项

一种基于伪测量值法的薄层硅片电阻率检测方法，该方法的步骤是：1)确定标准硅片的基本参数，包括直径、P/N型、厚度、晶向，测试样片和标准硅片的直径、P/N型、厚度和晶向参数相同；2)根据标准硅片的基本参数建立数学模型；3)根据数学模型选择激励方式和电极数量，设定硅片内各微区节点坐标；4)应用伪测量值法测量电阻率：a.在标准硅片边缘位置等距放置电极，并选择两个电极施加激励，测得标准硅片各节点位置及边缘电极位置的电位；b.将步骤a)测得的边缘电极位置的电位进行数值计算，应用回归分析的方法拟合出标准硅片边界电位分布函数方程；c.根据步骤b)得到的标准硅片边界电位分布函数方程及步骤a)中得到的标准硅片内各节点位置的电位，依据等位对应关系计算各节点在边界处的电位映射位置；d.在测试样片边缘位置等距放置电极，电极个数与标准硅片上电极个数一致，并施加相同激励，测得测试样片边缘电极位置的电位；e.将步骤d)测得的边缘电极位置的电位进行数值计算，应用回归分析的方法拟合出测试样片边界电位分布函数方程；f.将步骤c)得到的各节点在边界处的电位映射位置带入步骤e)得到的测试样片边界电位分布函数方程计算出测试样片各节点位置的电位；g.将步骤f)得到的测试样片各节点位置的电位与步骤a)中的标准硅片各节点位置的电位进行比较，根据标准硅片各节点与测试样片各节点的电位变化值计算得出各节点位置的阻抗变化值；h.根据各节点位置的阻抗变化值重构测试样片电阻率分布图，并检测测试样片电阻率均匀性，至此完成应用伪测量值法测量电阻率的目的。