[发明专利]形成纳米线的方法

摘要

本揭露为一种制造半导体装置的方法。此方法包括形成第一材料层于基板上。此第一材料层具有界定第一开口的侧壁，其中此第一开口具有第一形状。此方法亦包括在第一开口内形成牺牲特征且此牺牲特征具有第二形状，此第二形状不同于第一形状以使得在牺牲特征的边缘与第一材料层的侧壁之间存在空腔。此方法亦包括用第二材料层填充空腔，移除牺牲特征以形成第二开口，用第三材料层填充第二开口，移除第二材料层以显露空腔并在空腔内形成导电特征。

主权项

一种形成纳米线的方法，其特征在于包括：形成一第一材料层于一基板上，该第一材料层具有界定一第一开口的一侧壁，其中该第一开口具有一第一形状；形成一牺牲特征于该第一开口内，其中该牺牲特征具有一第二形状，该第二形状不同于该第一形状，使得在该牺牲特征的一边缘与该第一材料层的该侧壁之间存在一空腔；用一第二材料层填充该空腔；移除该牺牲特征以形成一第二开口；用一第三材料层填充该第二开口；移除该第二材料层以显露该空腔；以及形成一导电特征于该空腔内。