[发明专利]半导体器件及其测试方法和集成电路芯片有效

专利信息
申请号: 201611029937.7 申请日: 2016-11-15
公开(公告)号: CN107017233B 公开(公告)日: 2019-07-30
发明(设计)人: 曾仁洲;蔡明甫;张子恒 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/525;H01L23/544;H01L27/02;G01R31/26
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明的一些实施例涉及一种位于衬底上的半导体器件。在衬底上方设置互连结构,且在互连结构上方设置第一导电焊盘。第二导电焊盘设置在互连结构上方且与第一导电焊盘间隔开。第三导电焊盘设置在互连结构上方且与第一和第二导电焊盘间隔开。第四导电焊盘设置在互连结构上方且与第一、第二和第三导电焊盘间隔开。第一ESD保护元件电耦合在第一和第二焊盘之间;且第二ESD保护元件电耦合在第三和第四焊盘之间。第一被测器件电耦合在第一和第三导电焊盘之间;且第二被测器件电耦合在第二和第四焊盘之间。本发明的实施例还涉及半导体器件的测试方法和集成电路芯片。
搜索关键词: 半导体器件 及其 测试 方法 集成电路 芯片
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:半导体衬底;互连结构,设置在所述半导体衬底上方;第一导电焊盘,设置在所述互连结构上方;第二导电焊盘,设置在所述互连结构上方并且与所述第一导电焊盘间隔开;第三导电焊盘,设置在所述互连结构上方并且与所述第一导电焊盘和所述第二导电焊盘间隔开;第四导电焊盘,设置在所述互连结构上方并且与所述第一导电焊盘、所述第二导电焊盘和所述第三导电焊盘间隔开;第一静电放电保护元件,电耦合在所述第一导电焊盘和所述第二导电焊盘之间;第二静电放电保护元件,电耦合在所述第三导电焊盘和所述第四导电焊盘之间;第一被测器件(DUT),电耦合在所述第一导电焊盘和所述第三导电焊盘之间;以及第二被测器件,电耦合在所述第二导电焊盘和所述第四导电焊盘之间。
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