[发明专利]存储器件及其制造方法

摘要

本发明的实施例提供了一种形成去耦电容器器件的方法及其器件。该去耦电容器器件包括第一介电层部分，在沉积工艺中形成第一介电层部分，该沉积工艺还沉积用于非易失性存储单元的第二介电层部分。使用单掩模图案化两个部分。还提供了芯片上系统(SOC)，该SOC包括RRAM单元和位于单金属间介电层中的去耦电容器。还提供了一种用于形成工艺兼容的去耦电容器的方法。该方法包括图案化顶部电极层、绝缘层、和底部电极层以形成非易失性存储元件和去耦电容器。

主权项

一种用于制造存储器件的方法，包括：在衬底上方形成第一导电层；在所述第一导电层和所述衬底上方形成第一介电层，所述第一介电层包括第一部分和第二部分；在所述第一介电层的所述第一部分和所述第二部分上形成多个分立储存元件(DSE)；处理所述第一介电层的所述第一部分上的所述多个分立储存元件，以形成多个被处理的分立储存元件，同时所述第一介电层的所述第二部分上的所述多个分立储存元件未被处理，其中，所述多个被处理的分立储存元件中的每个分立储存元件均具有圆锥形状；在所述第一介电层的所述第一部分上的所述多个被处理的分立储存元件上方和在所述第一介电层的所述第二部分上的所述多个未被处理的分立储存元件上方形成第二介电层；以及在所述第二介电层上方形成第二导电层。