[发明专利]一种大功率IGBT器件有效
申请号: | 201611030415.9 | 申请日: | 2016-11-22 |
公开(公告)号: | CN106783759B | 公开(公告)日: | 2018-12-28 |
发明(设计)人: | 王汉清 | 申请(专利权)人: | 日照鲁光电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/367;H05K9/00 |
代理公司: | 北京华识知识产权代理有限公司 11530 | 代理人: | 廖彬佳 |
地址: | 276800 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明提供了一种大功率IGBT器件,具有注塑壳体、载片、多个大功率芯片和散热硅胶,其中,所述注塑壳体中具有一芯片容置腔体,所述芯片容置腔体由一个底壁和四个侧壁围成的长方体腔;所述载片固定设置于所述芯片容置腔体的底面上,并部分嵌入所述四个侧壁中;所述多个大功率芯片固定于所述载片上;所述散热硅脂填满所述芯片容置腔体,并与注塑壳体的顶面共面;所述多个大功率芯片的多个引脚折弯90度后从所述注塑壳体的顶面伸出;所述注塑壳体的所述底壁上具有多个散热通道,所述散热通道中流通有散热工质,每个所述多个散热通道的所述散热工质与所述载片的下表面接触。 | ||
搜索关键词: | 一种 大功率 igbt 器件 | ||
【主权项】:
1.一种大功率IGBT器件,具有注塑壳体、载片、多个大功率芯片和散热硅胶,所述载片为陶瓷载片或金属载片,其中,所述注塑壳体中具有一芯片容置腔体,所述芯片容置腔体由一个底壁和四个侧壁围成的长方体腔;所述载片固定设置于所述芯片容置腔体的底面上,并部分嵌入所述四个侧壁中;所述多个大功率芯片固定于所述载片上;所述散热硅胶填满所述芯片容置腔体,并与注塑壳体的顶面共面;所述多个大功率芯片的多个引脚折弯90度后从所述注塑壳体的顶面伸出;所述注塑壳体的所述底壁上具有多个横向散热通道,所述散热通道中流通有散热工质,每个所述多个散热通道的所述散热工质与所述载片的下表面接触。
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