[发明专利]基于SOI结构的热不敏感激光器在审
| 申请号： | 201611032903.3 | 申请日： | 2016-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN108075355A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 李伟龙;张永干;孙雨舟 | 申请（专利权）人： | 苏州旭创科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/22 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请揭示了一种基于SOI结构的热不敏感激光器，包括SOI结构、位于SOI结构上且对应设置的第一反射结构和第二反射结构、以及位于SOI结构上第一反射结构和第二发射结构之间的激光发射器件及负温度系数波导，SOI结构包括位于底层的硅衬底、中间的绝缘层及位于顶层的硅，顶层的硅在激光发射器件和负温度系数波导之间形成有硅波导，负温度系数波导的至少一侧形成有二氧化硅波导，激光发射器件作为激光器的有源区，负温度系数波导用于对激光器的正向折射率变化进行补偿，以使光线的波长稳定在预设范围内。本申请的激光器具有热不敏感的特征，通过负温度系数波导进行补偿，能调节整个激光器中的折射率在不同的温度下保持不变，激光器的输出波长保持不变。 | ||
| 搜索关键词： | 激光器 负温度系数 波导 激光发射器件 反射结构 不敏感 顶层 绝缘层 二氧化硅波导 折射率变化 波长稳定 输出波长 硅波导 硅衬底 折射率 预设 源区 正向 申请 发射 | ||
【主权项】：
1.一种基于SOI结构的热不敏感激光器，其特征在于，所述激光器包括SOI结构、位于SOI结构上且对应设置的第一反射结构和第二反射结构、以及位于SOI结构上第一反射结构和第二发射结构之间的激光发射器件及负温度系数波导，所述SOI结构包括位于底层的硅衬底、中间的绝缘层及位于顶层的硅，顶层的硅在激光发射器件和负温度系数波导之间形成有硅波导，所述负温度系数波导的至少一侧形成有二氧化硅波导，所述激光发射器件作为激光器的有源区，所述负温度系数波导用于对激光器的正向折射率变化进行补偿，以使光线的波长稳定在预设范围内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州旭创科技有限公司，未经苏州旭创科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611032903.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：窄线宽激光器
- 下一篇：基于SOI结构的热不敏感激光器
