[发明专利]具有连续侧墙的半导体设置及其制造方法有效
| 申请号： | 201611033447.4 | 申请日： | 2016-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN106409913B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;张严波;钟汇才 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了具有连续侧墙的半导体设置及其制造方法以及包括这种半导体设置的电子设备。例如，半导体设置可以包括：衬底；在衬底上形成的沿第一方向延伸的多个鳍；在衬底上形成的沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多个栅堆叠以及沿第二方向延伸且由电介质构成的伪栅，其中各栅堆叠与至少一个鳍相交；在栅堆叠和伪栅的侧壁上形成的侧墙；以及设于在第二方向上对准的第一栅堆叠和第二栅堆叠之间用以将它们电隔离的电介质，其中，第一栅堆叠和第二栅堆叠的侧墙一体延伸，且该电介质设于第一栅堆叠和第二栅堆叠的一体延伸的侧墙所围绕的空间内，第一栅堆叠和第二栅堆叠在第二方向上的至少一部分间隔小于该半导体设置的制造工艺中光刻所能实现的线间隔。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 连续 半导体 设置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体设置，包括：衬底；在衬底上形成的沿第一方向延伸的多个鳍；在衬底上形成的沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多个栅堆叠以及沿第二方向延伸且由电介质构成的伪栅，其中各栅堆叠与至少一个鳍相交；在栅堆叠的侧壁以及伪栅的侧壁上形成的侧墙；以及设于在第二方向上对准的第一栅堆叠和第二栅堆叠之间用以将第一栅堆叠和第二栅堆叠电隔离的电介质，其中，第一栅堆叠和第二栅堆叠的侧墙一体延伸，且所述电介质设于第一栅堆叠和第二栅堆叠的一体延伸的侧墙所围绕的空间内，其中，第一栅堆叠和第二栅堆叠在第二方向上的至少一部分间隔小于该半导体设置的制造工艺中光刻所能实现的线间隔。
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