[发明专利]一种可弯曲的超大不饱和磁阻材料制备方法及制备的材料

摘要

本发明公开了一种新型的材料结构设计，在氟晶云母衬底上生长高质量碲化钨薄膜，获得一种结合了柔性和超大不饱和磁阻性质的新结构。所述碲化钨薄膜是W、Te元素以1:2化学计量比形成的化合物，它是一种半金属材料，具有巨大的不饱和磁电阻，低温下可以达到10⁵量级，在加压下还会呈现超导性质。将碲化钨薄膜生长在云母上有利于应力相关研究和开发柔性电子学的应用。薄膜的制备方法是激光分子束外延(L‑MBE)技术，在约4.6×10^‑7mbar的本底真空下，在恒定温度的衬底上进行生长，随后在Te蒸气下高温退火。所获得的薄膜表征拉曼信号和XRD信号均与文献记载相吻合，确定为高质量的的薄膜。

主权项

1.一种可弯曲的超大不饱和磁阻材料制备方法，其特征在于：包括步骤：步骤1：将装有新解理的氟晶云母基片的真空腔室抽到4.6±1×10‑7Pa，并将氟晶云母基片加热到恒定温度300±5℃；步骤2：保持步骤1中的生长条件，采用波长248nm的KrF准分子激光器将激光通过透镜聚焦到碲化钨靶材上，所述碲化钨靶材与激光束的夹角为45°+2°，激光束的平均能量密度为1.5±0.5J/cm2，激光重复频率为1Hz，沉积时间根据选择厚度而决定；步骤3：完成所述碲化钨薄膜生长后，基片温度保持不变，原位退火10min，然后将碲化钨薄膜冷却至室温，即得到超大不饱和磁阻材料。