[发明专利]一种以碳纳米材料薄膜为异质结背场的晶体硅太阳能电池在审
| 申请号： | 201611035413.9 | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN108074992A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 韦进全;张泽麟;崔贤;王昆林;孙永明;丁孔贤 | 申请（专利权）人： | 清华大学;深圳珈伟光伏照明股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种以碳纳米材料薄膜为异质结背场的晶体硅太阳能电池。本发明将碳纳米材料薄膜与基于p型硅的太阳能电池结合，将碳纳米材料薄膜置于太阳能电池的背光面，利用碳纳米材料良好的空穴吸收、传输能力和合适的能带结构来提高太阳能电池的短路电流、开路电压和转换效率。在该太阳能电池结构中，由于晶体硅片较厚(>50μm)，太阳光无法穿过硅片照射在碳纳米材料薄膜上，因此碳纳米材料薄膜只起到背电场的作用，即增强空穴分离和传输的作用，可以有效提高电池的短路电流密度。 | ||
| 搜索关键词： | 碳纳米材料 薄膜 太阳能电池 晶体硅太阳能电池 空穴 异质结 背场 太阳能电池结构 传输能力 短路电流 晶体硅片 开路电压 能带结构 转换效率 背电场 背光面 太阳光 短路 硅片 照射 电池 穿过 传输 吸收 | ||
【主权项】：
1.以碳纳米材料薄膜为异质结背场的太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
