[发明专利]一种制备磁性隧道结的方法有效
| 申请号： | 201611035734.9 | 申请日： | 2016-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN108075037B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 张云森;肖荣福 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备磁性隧道结的方法，包括：在表面抛光的CMOS基底上，依次形成底电极、磁性隧道结多层膜和硬掩模膜层；图形化定义磁性隧道结图案，并转移图案到磁性隧道结的顶部；沉积一层氧离子俘获层在硬掩模的周围，并覆盖磁性隧道结记忆层；氧离子注入到没有被硬掩模覆盖的磁性隧道结记忆层，并对其进行热退火；沉积一层电介质在在硬掩模的周围，并覆盖被氧化的记忆层；以沉积在硬掩模周围的电介质为掩模，对被氧化的记忆层、势垒层、参考层和底电极进行离子束刻蚀；采用电介质填充未被刻蚀硬掩模周围的空隙，并采用化学机械抛光磨平直到未被氧化的硬掩模顶部。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 磁性 隧道 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备磁性隧道结的方法，其特征在于包括：在表面抛光的CMOS基底上，依次形成底电极、磁性隧道结多层膜和硬掩模膜层，其中磁性隧道结多层膜包括依次向上叠加的参考层、势垒层和记忆层；图形化定义磁性隧道结图案，并转移图案到磁性隧道结的顶部；沉积一层氧离子俘获层在硬掩模的周围，并覆盖磁性隧道结记忆层；氧离子注入到没有被硬掩模覆盖的磁性隧道结记忆层，并对其进行热退火；沉积一层电介质在在硬掩模的周围，并覆盖被氧化的记忆层；以沉积在硬掩模周围的电介质为掩模，对被氧化的记忆层、势垒层、参考层和底电极进行离子束刻蚀；采用电介质填充未被刻蚀硬掩模周围的空隙，并采用化学机械抛光磨平直到未被氧化的硬掩模顶部。
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