[发明专利]磁性元件和存储装置有效
申请号: | 201611035933.X | 申请日: | 2012-07-25 |
公开(公告)号: | CN106953005B | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
发明(设计)人: | 山根一阳;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;浅山徹哉;内田裕行 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;G11C11/15;G11C11/16 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 田喜庆;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及磁性元件和存储装置,其中,该磁性元件包括:自由磁化层,根据磁体的磁化状态来保持信息;磁化固定层,具有用作被存储在存储层中的信息的基准的磁化;以及绝缘层,由被设置在存储层与磁化固定层之间的非磁体形成,其中,通过利用伴随在自由磁化层、绝缘层以及磁化固定层的层结构的层压方向上流动的电流发生的自旋扭矩磁化反转来反转存储层的磁化来存储信息,并且存储层的尺寸小于磁化的方向被同时改变的尺寸。 | ||
搜索关键词: | 磁性 元件 存储 装置 | ||
【主权项】:
一种磁性元件,包括自由磁化层,具有1600nm2以下的平面图案的面积,所述自由磁化层包括被配置为待改变的磁化状态;绝缘层,被耦合至所述自由磁化层,所述绝缘层包括非磁性材料;以及磁化固定层,与所述自由磁化层相对地耦合至所述绝缘层,所述磁化固定层包括固定的磁化以便能够用作所述自由磁化层的基准,其中,所述平面图案的区域垂直于所述磁性元件的厚度方向。
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