[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置在审
| 申请号： | 201611037643.9 | 申请日： | 2016-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN108091569A | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/775;H01L29/45;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成悬空设置的纳米线；形成环绕所述纳米线的栅极结构；进行离子注入，以在所述栅极结构两侧的纳米线中分别形成源极和漏极，所述源极、栅极结构、漏极沿所述纳米线的轴向方向依次设置，其中，所述离子注入的注入离子包括Te和/或Ge。综上所述，根据本发明的制造方法，通过向源极和漏极区域离子注入Te和/或Ge，来降低接触电阻，提高器件的导通电流Ion，进而提高器件的整体性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米线 栅极结构 源极 离子 半导体器件 电子装置 衬底 漏极 半导体 制造 半导体技术领域 降低接触电阻 导通电流 漏极区域 悬空设置 依次设置 轴向方向 注入离子 环绕 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成悬空设置的纳米线；形成环绕所述纳米线的栅极结构；进行离子注入，以在所述栅极结构两侧的纳米线中分别形成源极和漏极，所述源极、栅极结构、漏极沿所述纳米线的轴向方向依次设置，其中，所述离子注入的注入离子包括Te和/或Ge。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
