[发明专利]一种半导体器件的生产方法有效
申请号: | 201611039279.X | 申请日: | 2016-11-21 |
公开(公告)号: | CN106783639B | 公开(公告)日: | 2020-04-10 |
发明(设计)人: | 喻鹏 | 申请(专利权)人: | 杰群电子科技(东莞)有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/58 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 张海英;林波 |
地址: | 523750 广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体器件的生产方法,包括:S4:将涂覆有锡膏的半导体器件半成品在不超过5℃的低温中储存;S5:将在低温下储存的半导体器件半成品解冻到5℃以上后继续使用。通过在低温下保存涂覆有锡膏的半导体器件半成品,可以避免锡膏内的助焊剂挥发,不需要限定在1个小时内完成后续工艺,即使遇到后续工艺设备出现故障时,也可以避免浪费,极大的提高了生产的灵活性,且不再限制锡膏的涂覆设备的产能,可以满产能运转,避免产能浪费。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体器件 生产 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体器件的生产方法,其特征在于,包括:S4:将涂覆有锡膏的半导体器件半成品在不超过5℃的低温中储存;S5:将在低温下储存的半导体器件半成品解冻到5℃以上后继续使用。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造