[发明专利]制造微机电系统MEMS装置的方法有效
申请号: | 201611039292.5 | 申请日: | 2016-11-21 |
公开(公告)号: | CN107176587B | 公开(公告)日: | 2022-01-07 |
发明(设计)人: | 刘育嘉;朱家骅;郑钧文 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 路勇 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明涉及一种制造微机电系统MEMS装置的方法,该方法包含:在衬底上方沉积绝缘材料;在所述绝缘材料的第一组层中形成导电通路;及在所述绝缘材料的第二组层中形成金属结构。所述第一组层与所述第二组层交替地交错。提供虚拟绝缘层作为所述第一组层的最上部层。蚀刻所述第一组层及所述第二组层的部分以在所述绝缘材料中形成空隙区域。在所述绝缘材料的顶部表面上及其中形成导电垫。利用囊封结构密封所述空隙区域。所述囊封结构的至少一部分横向邻近所述虚拟绝缘层,且位于所述导电垫的顶部表面上面。执行蚀刻以移除所述虚拟绝缘层的至少一部分。 | ||
搜索关键词: | 制造 微机 系统 mems 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种制造微机电系统MEMS装置的方法,所述方法包括:在衬底上方沉积绝缘层;在所述绝缘层的多个第一层中形成多个导电通路;在所述绝缘层的多个第二层中形成多个金属结构,其中所述多个第一层与所述多个第二层交错;蚀刻所述多个导电通路中的第一组一或多者及所述多个金属结构中的第二组一或多者以在所述绝缘层中形成空隙区域;在所述绝缘层的顶部表面上及其内形成导电垫;及利用囊封结构密封所述空隙区域,其中所述囊封结构的至少一部分位于所述导电垫的顶部表面上面。
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