[发明专利]一种波长可调的荧光涂层及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201611040248.6 | 申请日： | 2016-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN106756825B | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 李东升;刘国华;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14;C09K11/59 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310013 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种波长可调的荧光涂层及其制备方法和应用，采用了磁控溅射法通过控制硅靶和硼靶的功率来调节荧光涂层的富硅量和掺硼量。掺硼量的变化在涂层中引入大量发光中心的同时，不同缺陷之间的比例也发生变化，从而实现荧光涂层的最大发射荧光波长在很大范围内变化，即可以通过调节硼含量可以得到理想的发光色彩。本发明制备工艺简单，工业兼容性好，在荧光粉以及光电子器件领域有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 荧光涂层 制备方法和应用 波长可调 掺硼 荧光粉 光电子器件领域 发明制备工艺 磁控溅射法 发光色彩 发光中心 荧光波长 最大发射 兼容性 富硅 硅靶 硼靶 引入 应用 | ||
【主权项】：
1.一种波长可调的荧光涂层在荧光粉以及硅基光电子器件中的应用，其特征在于，所述荧光涂层的制备方法包括如下步骤：(1)清洗衬底，衬底清洗后加热至450～600℃；(2)在真空度为1×10‑5～1×10‑2Pa下，通入高纯Ar和高纯O2混合气体，利用射频溅射对硅靶和硼靶进行反应共溅射，在衬底上沉积薄膜；(3)惰性气氛下，对步骤(2)得到的薄膜进行热处理，即得到掺硼的荧光涂层；所述荧光涂层的硼含量为1～15.1at.％；所述荧光涂层在激发下会产生650nm～410nm的荧光，最大发射荧光波长随硼含量的变化而变化；步骤(2)中共溅射时，硅靶的溅射功率为120～150W，硼靶的溅射功率为30～120W，溅射腔室的压强为1Pa。
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