[发明专利]改善有源区点状腐蚀缺陷的方法

摘要

本发明提供了一种改善有源区点状腐蚀缺陷的方法，通过建立理论第一主刻蚀工艺中有源区顶部到浅沟槽隔离结构顶部的阶梯高度与理论第一主刻蚀工艺参数的参考关系图，根据参考关系图和实际阶梯高度从而更加方便和可控地调整实际的第一主刻蚀工艺的工艺参数，从而采用该第一主刻蚀工艺对多晶硅层进行刻蚀，且停止于栅氧层上方，使得位于栅氧层上方的多晶硅层顶部高于栅氧层顶部，避免传统第一主刻蚀工艺在第一主工艺刻蚀时容易刻蚀到栅氧层甚至有源区表面而造成的点状腐蚀缺陷，提高了对多晶硅栅极的刻蚀效果，并且本发明的方法简单，成本低廉。

主权项

1.一种改善有源区点状腐蚀缺陷的方法，包括依次进行第一主刻蚀工艺和第二主刻蚀工艺，其特征在于，第一主刻蚀工艺包括：步骤01：建立理论第一主刻蚀工艺中有源区顶部到浅沟槽隔离结构顶部的阶梯高度与理论第一主刻蚀工艺参数的参考关系图；步骤02：提供一半导体衬底；在半导体衬底上具有浅沟槽隔离结构、与浅沟槽隔离结构相邻的有源区、位于有源区表面的栅氧层，覆盖于浅沟槽隔离结构和栅氧层表面的多晶硅层；其中，第一主刻蚀工艺对栅氧层和多晶硅层的刻蚀选择比低于第二主刻蚀工艺对栅氧层和多晶硅层的刻蚀选择比；步骤03：测量有源区顶部到浅沟槽隔离结构顶部的实际阶梯高度；步骤04：根据所述参考关系图和实际阶梯高度来调整实际的第一主刻蚀工艺的工艺参数，采用第一主刻蚀工艺对多晶硅层进行刻蚀，且停止于栅氧层上方，使得位于栅氧层上方的多晶硅层顶部高于栅氧层顶部；步骤05：停止第一主刻蚀工艺，然后进行第二主刻蚀工艺；其中，所述参考关系图为刻蚀时间和所述阶梯高度的关系图，所述参考关系图包括固定刻蚀时间阶段、以及与所述阶梯高度呈线性变化的刻蚀时间阶段，与所述阶梯高度呈线性变化的刻蚀时间阶段中所述刻蚀时间与所述阶梯高度呈反比例变化。