[发明专利]一种可调控磁光光谱的磁光材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201611041955.7 | 申请日： | 2016-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN106756787B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 毕磊;李萌;张燕;秦俊;梁潇;王闯堂;邓龙江 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/28;G02F1/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 闫树平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于磁性氧化物薄膜的生长技术领域，具体涉及一种可调控磁光光谱的磁光材料及其制备方法。本发明通过改变钴掺杂氧化铈和氧化铪成分比例、生长过程中的激光能量密度、薄膜沉积温度以及薄膜沉积气压，制备了一种基于钴掺杂氧化铈和/或氧化铪的可调控磁光光谱的薄膜，获得了高磁光优值的新型可调谐磁光光谱材料。室温铁磁性的可调磁光性质和光学性质材料可应用于设计最佳磁光优值的可调波长的光学器件。 | ||
| 搜索关键词： | 磁光光谱 可调控 制备 薄膜沉积 磁光材料 氧化铈 氧化铪 钴掺杂 薄膜 磁性氧化物 室温铁磁性 磁光性质 光学器件 光学性质 激光能量 可调波长 生长过程 可调谐 磁光 高磁 可调 气压 生长 应用 | ||
【主权项】：
1.一种可调控磁光光谱的磁光材料，其特征在于：该材料是以CeO2、HfO2和Co3O4为原料按CexHf0.95‑xCo0.05O2‑δ的mol％比，通过固相法制得靶材，再通过脉冲激光沉积PLD技术制得，其中0＜x＜0.95。
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