[发明专利]一种用于产生二维OPC测试图形的方法有效

专利信息
申请号: 201611042085.5 申请日: 2016-11-22
公开(公告)号: CN106599388B 公开(公告)日: 2019-08-20
发明(设计)人: 夏国帅;魏芳;朱骏;吕煜坤;张旭升 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 吴世华;陈慧弘
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种用于产生二维OPC测试图形的方法,其包括:根据半导体芯片的设计尺寸生成多种特殊图形单元;根据芯片的设计尺寸确定二维OPC测试图形的框架;通过不同二维OPC层次的图形密集度,设定各种特殊图形单元对应的出现概率,并根据出现概率的差别,采用蒙特卡洛法将特殊图形单元填充到所述OPC测试图形的框架中;对完成的二维OPC测试图形,根据芯片设计尺寸以及光罩生产厂商的实际生产能力进行基于规则的OPC修正检查以及基于模型的OPC的修正检查,将不符合进行基于规则的OPC和基于模型的OPC规格尺寸的特殊图形单元滤除;检查二维OPC测试图形的框架是否填充完整,如果填充完整则得到最终的二维OPC测试图形;如果没有填充完整,继续执行填充步骤直到完成。
搜索关键词: 一种 用于 产生 二维 opc 测试 图形 方法
【主权项】:
1.一种用于产生二维OPC测试图形的方法,其特征在于,包括:步骤S1:根据半导体芯片的设计尺寸生成多种特殊图形单元,其中,所述的特殊图形单元的边框为正方形,所述正方形的边长与所述半导体芯片的设计尺寸基于模型的OPC规则相关,所述正方形中的图形为多边形;步骤S2:根据芯片的设计尺寸确定二维OPC测试图形的框架;其中,所述的框架由N*M个所述特殊图形单元的正方形构成;步骤S3:通过不同二维OPC层次的图形密集度,设定各种特殊图形单元对应的出现概率,并根据出现概率的差别,采用蒙特卡洛法将特殊图形单元填充到所述OPC测试图形的框架中,以生成二维OPC测试图形;步骤S4:对根据蒙特卡洛法排列完成的二维OPC测试图形,根据芯片设计尺寸以及光罩生产厂商的实际生产能力进行基于规则的OPC修正检查以及基于模型的OPC的修正检查,将不符合基于规则的OPC和基于模型的OPC规格尺寸的特殊图形单元滤除;步骤S5:检查二维OPC测试图形的框架是否填充完整,如果填充完整则得到最终的二维OPC测试图形;如果没有填充完整,那么,继续执行步骤S3、S4和步骤S5。
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