[发明专利]一种提高大功率LDMOS器件稳定性的内匹配设计方法在审
| 申请号： | 201611043887.8 | 申请日： | 2016-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN106656092A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 杜寰;任建伟;丛密芳;李科;黄启俊;高潮 | 申请（专利权）人： | 扬州江新电子有限公司 |
| 主分类号： | H03H7/38 | 分类号： | H03H7/38 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司32102 | 代理人： | 陈栋智 |
| 地址： | 225000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高大功率LDMOS器件稳定性的内匹配设计方法，在传统LC组成的“T”型网络结构的管芯版图上增加多晶电阻R，本发明通过在现有的管芯版图上增加多晶电阻R，使得芯片内部形成负反馈，降低增益，可使器件维持在稳定增益范围，提高了整体工作稳定性，进一步达到改善匹配结构提高稳定性的目的，可用于射频微波大功率器件的内匹配封装中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 大功率 ldmos 器件 稳定性 匹配 设计 方法 | ||
【主权项】：
一种提高大功率LDMOS器件稳定性的内匹配设计方法，其特征在于，在传统LC组成的“T”型网络结构的管芯版图上增加多晶电阻R。
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