[发明专利]静电放电测试结构在审
| 申请号： | 201611044428.1 | 申请日： | 2016-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN107871727A | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 张子恒;曾仁洲;宋明相 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/00 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种静电放电(ESD)测试结构包括位于第一管芯中的测量装置。所述静电放电测试结构进一步包括位于第二管芯中的熔断器。所述静电放电测试结构进一步包括多个接合件，将所述第一管芯电连接至所述第二管芯，其中所述多个接合件中的第一接合件将所述熔断器电连接至所述测量装置。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种静电放电(ESD)测试结构，其特征在于，包括：测量装置，位于第一管芯中；熔断器，位于第二管芯中；多个接合件，将所述第一管芯电连接至所述第二管芯，其中所述多个接合件中的第一接合件将所述熔断器电连接至所述测量装置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611044428.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
