[发明专利]非易失记忆单元和相关操作方法

摘要

本发明公开了一种非易失记忆单元，包括一基板、一选择闸极、一浮动闸极，以及一辅助控制闸极。基板包括一第一扩散区、一第二扩散区、一第三扩散区，以及一第四扩散区。选择闸极形成于一多晶硅层内，且位于第一扩散区和第二扩散区上。浮动闸极形成于多晶硅层内，且位于第二扩散区、第三扩散区和第四扩散区上。辅助控制闸极形成于一金属层内，且位于浮动闸极上，其中辅助控制闸极的一部分面积至少覆盖浮动闸极的一半面积。因此，辅助控制闸极和浮动闸极之间所形成的金属‑多晶硅电容可作为浮动闸极的额外耦合节点，进而改善非易失记忆单元的读取效率和抹除效率。

主权项

一种非易失记忆单元，其特征在于，包括：一基板，其包括一第一扩散区、一第二扩散区、一第三扩散区，以及一第四扩散区；一选择闸极，形成于一多晶硅层内，且位于所述第一扩散区和所述第二扩散区上；一浮动闸极，形成于所述多晶硅层内，且位于所述第二扩散区、所述第三扩散区和所述第四扩散区上；以及一辅助控制闸极，形成于一金属层内，且位于所述浮动闸极上，其中所述辅助控制闸极的一部分面积至少覆盖所述浮动闸极的一半面积。