[发明专利]一种微纳结构减反膜的制作方法及显示装置有效
申请号: | 201611046277.3 | 申请日: | 2016-11-22 |
公开(公告)号: | CN106526716B | 公开(公告)日: | 2018-06-22 |
发明(设计)人: | 查国伟 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02B1/118 | 分类号: | G02B1/118;G02F1/1335 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供一种微纳结构减反膜的制作方法及显示装置,其包括:提供一基板;在基板上形成一二氧化硅层,二氧化硅层表面有多个坑洞,用于提供减反膜的成核点;在二氧化硅层上形成一六角形呈蜂巢晶格状的石墨烯;以石墨烯为生长基底,在多个成核点中形成减反膜的下表面,使得下表面形状为六角形,并通过渐变生长的方式使得减反膜的扩散原子的扩散长度与扩散原子量随着生长时间的延长而逐渐减少,以形成减反膜的上表面。本发明的微纳结构减反膜的制作方法及显示装置,工艺步骤简单,工艺成本低并且能形成精度较高的具有一定减反效果的微纳结构减反膜。 | ||
搜索关键词: | 微纳结构 显示装置 二氧化硅层 成核点 石墨烯 扩散 基板 制作 二氧化硅层表面 蜂巢 下表面形状 工艺步骤 工艺成本 生长 反效果 晶格状 六角形 上表面 生长基 下表面 原子量 渐变 角形 坑洞 | ||
【主权项】:
1.一种微纳结构减反膜的制作方法,其特征在于,包括:提供一基板;在所述基板上形成一二氧化硅层,所述二氧化硅层表面有多个坑洞,用于提供减反膜的成核点;在所述二氧化硅层上形成一六角形呈蜂巢晶格状的石墨烯;以所述石墨烯为生长基底,在多个所述成核点中形成所述减反膜的下表面,使得所述下表面形状为六角形,并通过渐变生长的方式使得所述减反膜的扩散原子的扩散长度与扩散原子量随着生长时间的延长而逐渐减少,以形成所述减反膜的上表面。
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