[发明专利]一种增强OPC处理精度的方法有效
申请号: | 201611047406.0 | 申请日: | 2016-11-22 |
公开(公告)号: | CN106707681B | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 孟鸿林;魏芳;朱骏 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F7/20;G06F17/50 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;张磊 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种增强OPC处理精度的方法,通过利用建立工艺热点库信息,对出版数据进行热点分析和MEEF值判定,对MEEF值在设定值以上的高MEEF图形进行加强OPC图形修正和检查,在此基础上对工艺热点库进行不断升级,可改善以往在OPC修正时出现的对重复图形区域在不同的地方随机修正结果不一样的问题,提高高MEEF图形的OPC处理精度,并保持OPC修正结果的一致性;本发明可以和现有的处理方法兼容,同时可以大幅减少系统的运行时间,不但克服了传统设计随意性和数据的冗余性,提高了版图的处理效率,而且可以降低OPC处理的复杂度和运行时间。 | ||
搜索关键词: | 处理效率 传统设计 减少系统 热点分析 图形修正 重复图形 复杂度 库信息 冗余性 判定 兼容 修正 升级 出版 检查 | ||
【主权项】:
1.一种增强OPC处理精度的方法,其特征在于,利用一包含EDA软件和计算机硬件的信息处理及反馈系统实施,包括以下步骤:步骤101:根据不同工艺平台的特点,OPC的出版层次和检查数据结果,以及出版热点对应的硅片验证数据,建立MEEF值在设定值以上的工艺热点库图形A0,并根据工艺热点的表现情况对工艺热点实施分级处理,从而将这些图形A0存储在系统中;所述MEEF的设定值为不小于1.5;步骤102:通过系统读入需要处理的原始图形B0,并与工艺热点库中的图形A0进行相似度检查和相似度判定;步骤103:通过系统开始对需要处理的原始图形B0进行OPC修正,并预测OPC修正后图形的MEEF大小;其中,在对原始图形B0进行OPC修正时,对判定相似度为100%的原始图形B0,直接将工艺热点库中对应图形A0的OPC修正结果替换到其版图中,在对原始图形B0进行OPC修正时,对判定相似度低于100%的原始图形B0,需要预测其OPC修正后图形的MEEF大小;步骤104:通过系统根据图形相似度的判定结果,工艺热点的分级值,MEEF大小数据,对MEEF值在设定值以上的原始图形B0进行加强修正,得到修正后图形B1;步骤105:通过系统对修正后图形B1进行加强检查和分类;步骤106:对其中经系统判定MEEF值在设定值以上的出版热点图形进行硅片验证,并将这些工艺热点的检查和验证结果存储至工艺热点库;步骤107:将上述这些工艺热点的实际MEEF值反馈到系统中,以校正和更新工艺热点库,并将工艺热点库中的图形A0升级为图形A1。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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