[发明专利]适用于LED驱动芯片的自适应高压供电电路有效
申请号: | 201611050454.5 | 申请日: | 2016-11-24 |
公开(公告)号: | CN106376145B | 公开(公告)日: | 2018-04-24 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 上海灿瑞科技股份有限公司 |
主分类号: | H05B33/08 | 分类号: | H05B33/08 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司31002 | 代理人: | 邓琪,余中燕 |
地址: | 200072 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种适用于LED驱动芯片的自适应高压供电电路,包括一高压供电电路本体,其单向导通并连接一外围电路,用于提供一供电电压给外围电路的一供电电容充电;一迟滞调整模块,其输入端连接外围电路以采样输入电压,迟滞调整模块的输出端连接高压供电电路本体;迟滞调整模块根据其输入端的电压峰值输出一迟滞阈值调整信号,高压电路本体根据迟滞阈值调整信号调节供电电压的放电门槛值。本发明的一种适用于LED驱动芯片的自适应高压供电电路,能够自适应地调整供电电压的放电门槛值,在高压位于高位时停止对供电电容的充电,从而降低供电电路自身的损耗;同时通过MOS管串联的方式,较传统的二极管串联方式更为可靠。 | ||
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【主权项】:
一种适用于LED驱动芯片的自适应高压供电电路,其特征在于,包括:一高压供电电路本体,所述高压供电电路本体单向导通并连接一外围电路,用于提供一供电电压给所述外围电路的一供电电容充电;以及一迟滞调整模块,所述迟滞调整模块的输入端连接所述外围电路以采样输入电压,所述迟滞调整模块的输出端连接所述高压供电电路本体;所述迟滞调整模块根据其输入端的电压峰值输出一迟滞阈值调整信号,所述高压供电电路本体根据所述迟滞阈值调整信号调节所述供电电压的放电门槛值;其中,所述高压供电电路本体包括:一高压结型场效应晶体管,所述高压结型场效应晶体管的栅极和漏极连接所述外围电路;一第一MOS管,所述第一MOS管的漏极连接所述高压结型场效应晶体管的源极;一单向导通件,所述单向导通件的输入端连接于所述第一MOS管的源极,输出端连接于所述供电电容的上极板,所述供电电容的下极板接地;一上拉电阻,所述上拉电阻连接于所述高压结型场效应晶体管的源极和所述第一MOS管的栅极之间;一第二MOS管,所述第二MOS管的漏极连接所述第一MOS管的栅极,所述第二MOS管的源极接地;以及一迟滞比较器,所述迟滞比较器的正相输入端连接所述单向导通件的输出端,所述迟滞比较器的反相输入端连接一参考电压输入端,所述迟滞比较器的控制输入端连接所述迟滞调整模块的输出端,所述迟滞比较器的输出端连接所述第二MOS管的栅极。
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