[发明专利]包括堆叠的半导体芯片的半导体器件有效
申请号: | 201611051121.4 | 申请日: | 2016-11-24 |
公开(公告)号: | CN107017271B | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 金东贤;权杜原 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 屈玉华;张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种半导体器件包括芯片层叠结构,该芯片层叠结构包括第一半导体芯片和堆叠在第一半导体芯片上的第二半导体芯片。第一半导体芯片包括第一基板、在第一基板的前表面上的第一电路层、和设置在第一电路层上并包括电连接到第一电路层的第一金属垫的第一连接层。第二半导体芯片包括第二基板、在第二基板的前表面上的第二电路层、和设置在第二电路层上并包括电连接到第二电路层的第二金属垫的第二连接层。第一连接层面对第二连接层。第一金属垫和第二金属垫彼此接触以将第一和第二半导体芯片彼此联接。 | ||
搜索关键词: | 包括 堆叠 半导体 芯片 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:芯片层叠结构,包括第一半导体芯片和堆叠在所述第一半导体芯片上的第二半导体芯片,其中所述第一半导体芯片包括:第一基板;在所述第一基板的前表面上的第一电路层;和在所述第一电路层上的第一连接层,所述第一连接层包括电连接到所述第一电路层的第一金属垫,其中所述第二半导体芯片包括:第二基板;在所述第二基板的前表面上的第二电路层;和在所述第二电路层上的第二连接层,所述第二连接层包括电连接到所述第二电路层的第二金属垫,其中所述第一连接层和所述第二连接层彼此面对,其中所述第一金属垫和所述第二金属垫彼此接触以将所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片彼此联接,其中所述第一金属垫包括通过第一隔板彼此分开的多个第一金属垫部分,和其中所述第二金属垫包括通过第二隔板彼此分开的多个第二金属垫部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的