[发明专利]一种半导体器件和电子装置有效
| 申请号： | 201611053099.7 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN108110055B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 王伟;江宇雷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件和电子装置，涉及半导体技术领域。包括：半导体衬底；漂移区，设置在半导体衬底中；体区，设置在半导体衬底中漂移区的外侧；漏极，设置在漂移区中，所述漏极包括沿第一方向延伸部分长度的连接部，以及沿与第一方向垂直的第二方向延伸的若干间隔设置的第一指状部，第一指状部均与连接部连接；源极，设置在体区中，源极包括至少一个第二指状部，第二指状部设置在相邻的第一指状部之间的间隙中；体区引出区，设置在体区中，体区引出区包括设置于第二指状部的端部的第一部分；若干个深阱区，间隔设置在源极和漏极之间的漂移区中，并包围体区引出区的第一部分，深阱区具有第一导电类型，每个深阱区的顶面低于漂移区的顶面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：具有第一导电类型的半导体衬底；漂移区，设置在所述半导体衬底中，具有第二导电类型；体区，设置在所述半导体衬底中所述漂移区的外侧，具有第一导电类型；漏极，设置在所述漂移区中，具有与所述漂移区相同的导电类型，其中，所述漏极包括沿第一方向延伸部分长度的连接部，以及沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸的若干间隔设置的第一指状部，所述第一指状部均与所述连接部连接；源极，设置在所述体区中，其具有与所述漂移区相同的导电类型，所述源极包括至少一个第二指状部，所述第二指状部设置在相邻的所述第一指状部之间的间隙中；体区引出区，设置在所述体区中，其中，所述体区引出区包括设置于所述第二指状部的端部的第一部分；若干个深阱区，间隔设置在所述源极和所述漏极之间的所述漂移区中，并包围所述体区引出区的所述第一部分，其中，所述深阱区具有第一导电类型，每个所述深阱区的顶面低于所述漂移区的顶面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611053099.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
