[发明专利]蚀刻组合物和使用所述蚀刻组合物的方法有效
| 申请号： | 201611054153.X | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN107527808B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | W.D.刘;Y-C.李;T.陈;T.梅布拉图;A.吴;E.C.K.曾;G.E.帕里斯 | 申请（专利权）人： | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 组合物和使用所述组合物用于蚀刻半导体基底的方法，所述组合物包含：约25‑86%重量的水；约0‑约60%重量的水可混溶性有机溶剂；约1‑约30%重量的碱，其包含季铵化合物；约1‑约50%重量的胺化合物，其中所述胺化合物选自仲胺、叔胺和其混合物；约0‑约5%重量的缓冲剂；约0‑约15%重量的腐蚀抑制剂。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 组合 使用 方法 | ||
【主权项】：
用于蚀刻半导体基底的组合物，其包含有效蚀刻量的以下组分：约25‑86%重量的水；约0‑约60%重量的水可混溶性有机溶剂；约1‑约30%重量的季铵化合物；约1‑约50%重量的胺化合物，其中所述胺化合物选自仲胺、叔胺和其混合物；约0‑约5%重量的缓冲剂；和约0‑约15%重量的腐蚀抑制剂，其中所述蚀刻组合物提供Σ形的轮廓。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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