[发明专利]一种霍山石斛的育种方法在审

专利信息
申请号: 201611057059.X 申请日: 2016-11-26
公开(公告)号: CN106718726A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 苗青 申请(专利权)人: 上海兰葹生物科技有限公司
主分类号: A01G31/00 分类号: A01G31/00;C05G1/06;A01N63/00;A01N59/20;A01N59/16;A01P1/00
代理公司: 北京挺立专利事务所(普通合伙)11265 代理人: 倪钜芳
地址: 200120 上海市浦东新区中国(*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种霍山石斛的育种方法,包括如下步骤将成熟晒干的霍山石斛种子进行消毒浸种处理后播种于自制培养基中培养直至萌发形成绿色圆球茎后转入加蕨根发酵粉的自制培养基中培养,使得圆球茎堆积在培养基中,并出现叶原基和分化苗;将圆球茎分化苗用清水冲洗后转入改良1/2MS培养基中培养,经诱导产生叶原基后转入改良MS培养基中进行壮苗培养,高度达到1.5‑2.5cm的幼苗出现后转入加花宝1号和2号的改良培养基进行诱导生根。本发明采用米斛的种子和培养基进行种子的繁殖培育,种子通过吸收培植基提供的养料,能够快速萌发,长成具有茎和叶的种苗,提高了种子的发芽率。
搜索关键词: 一种 霍山 石斛 育种 方法
【主权项】:
一种霍山石斛的育种方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、将成熟后的米斛种子采收、晒干后置于浸种剂消毒浸泡20~40min,所述浸种剂由以下重量份的原料制备而成:0.1‑0.3份MnSO4粉末、0.05‑0.15份CuSO4粉末、0.1‑0.3份ZnSO4粉末、0.2‑0.4份NiSO4粉末、0.2‑0.5份(NH4)6Mo7O24.4H2O粉末、10~20份EM原露100倍稀释液;S2、将消毒浸种完成后的种子播种于自制培养基中培养15‑20天,经过种胚膨大、萌发形成绿色圆球茎;培养条件为:每日光照10‑15小时,光照度1000‑3000lx,温度为20‑27℃,空气湿度为80‑90%;S3、搭建由若干10×10cm的育苗槽构成的育苗床,并在每个育苗槽内填充加蕨根发酵粉的自制培养基,将圆球茎转入加蕨根发酵粉的自制培养基中培养23‑28天,使得圆球茎堆积在培养基中,并出现叶原基和分化苗;培养条件:温度20‑25℃,光照度1100‑1900lx,光照时间为13‑14h/d;S4、将圆球茎分化苗用清水冲洗后转入改良1/2MS培养基中培养20‑30天,经诱导产生叶原基;S5、将步骤S4中产生的小苗转入改良MS培养基中进行壮苗,经过60‑70天壮苗培养,高度达到1.5‑2.5cm的幼苗出现,培养条件:温度25‑26℃,光照度1700‑2100lx,光照时间为13‑14h/d;S6、将步骤S5得到的幼苗转入加花宝1号和2号的改良培养基进行诱导生根;S7、将步骤S6得到的生根苗进行炼苗驯化。
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