[发明专利]具有外部和内部地址标记的图像传感器有效
申请号: | 201611060624.8 | 申请日: | 2016-11-25 |
公开(公告)号: | CN107305900B | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 金钟殷;金男镒;金大宇;朴昶洙;禹东铉 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/544 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 李少丹;许伟群 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种图像传感器,具有:包括以矩阵形式设置的多个像素块的像素区域、像素区域周围的外部地址标记、多个像素块之间的间隙以及设置在间隙中的内部地址标记。 | ||
搜索关键词: | 具有 外部 内部 地址 标记 图像传感器 | ||
【主权项】:
一种图像传感器,包括:有源层,包括像素块和间隙,其中,所述像素块以矩阵形式布置,其中,所述间隙设置在像素块之间;外部有源地址标记,位于所述有源层之外;以及内部有源地址标记,位于所述有源层中和所述间隙中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的