[发明专利]一种改善PETEOS薄膜缺陷的方法和半导体结构在审
| 申请号： | 201611063548.6 | 申请日： | 2016-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN106783535A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 高升;曾庆锴;刘聪;张莉;万先进 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/11521;H01L27/11568 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司11212 | 代理人： | 杨立,李蕾 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明特别涉及一种改善PETEOS薄膜缺陷的方法和半导体结构。所述改善PETEOS薄膜缺陷的方法包括以下步骤步骤1，在半导体衬底上沉积形成PETEOS薄膜；步骤2，向所述半导体衬底所在的工艺腔室内通入第一反应气体和第二反应气体，对第一反应气体和第二反应气体的混合气体进行激发形成等离子体，利用所述等离子体对PETEOS薄膜的上表面进行等离子体处理；所述第一反应气体为氧化性气体，所述第二反应气体为惰性气体或氮气。通过本发明的方法可以增加薄膜表面活性，有效降低薄膜表面氢键含量，从而改善薄膜表面小丘缺陷，满足现有双重曝光工艺的技术要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 peteos 薄膜 缺陷 方法 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种改善PETEOS薄膜缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤:步骤1，在半导体衬底上沉积形成PETEOS薄膜；步骤2，向所述半导体衬底所在的工艺腔室内通入第一反应气体和第二反应气体，对第一反应气体和第二反应气体的混合气体进行激发形成等离子体，利用所述等离子体对PETEOS薄膜的上表面进行等离子体处理；所述第一反应气体为氧化性气体，所述第二反应气体为惰性气体或氮气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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