[发明专利]用于先进光刻的薄膜组件和方法有效
| 申请号： | 201611063636.6 | 申请日： | 2016-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN107015431B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 陈炫辰;林云跃;连大成;李信昌;林志诚;陈政宏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F1/62 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明根据一些实施例提供了一种用于半导体光刻工艺的装置。该装置包括具有导热表面的薄膜；多孔薄膜框架；以及将薄膜固定至多孔薄膜框架的导热粘合层。多孔薄膜框架包括从多孔薄膜框架的外表面连续延伸至多孔薄膜框架的内表面的多个孔道。本发明的实施例还涉及用于先进光刻的薄膜组件和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 先进 光刻 薄膜 组件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于半导体光刻工艺的装置，包括：薄膜，具有导热表面；多孔薄膜框架，其中，所述多孔薄膜框架包括从所述多孔薄膜框架的外表面连续延伸至所述多孔薄膜框架的内表面的多个孔道；以及导热粘合层，将所述薄膜固定至所述多孔薄膜框架。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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