[发明专利]一种碳陶瓷温度传感器温度监测控制装置在审
申请号: | 201611066548.1 | 申请日: | 2016-11-28 |
公开(公告)号: | CN106595896A | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 林桂清 | 申请(专利权)人: | 林桂清 |
主分类号: | G01K7/24 | 分类号: | G01K7/24;H01F6/04 |
代理公司: | 南宁东智知识产权代理事务所(特殊普通合伙)45117 | 代理人: | 巢雄辉,汪治兴 |
地址: | 537400 广西壮族自治*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本发明公开了一种碳陶瓷温度传感器温度监测控制装置,包括1)高温超导磁体系统,所述高温超导磁体系统包括高温超导带材和传导冷却超导磁体骨架;所述高温超导带材绕制在所述传导冷却超导磁体骨架上;2)传导冷却制冷系统,所述传导冷却制冷系统包括制冷机冷头、铜导冷连接盘和铜导冷骨架;所述制冷机冷头与所述铜导冷连接盘连接;所述铜导冷骨架的一端与所述铜导冷连接盘连接,所述铜导冷骨架用于对所述高温超导磁体系统进行传导冷却。本发明可以快速、直接、精确的对在高电压、强磁场、传导冷却条件下的高温超导磁体内部的高温超导带材上的温度进行监测,并确保不会因为温度传感器的安装而引入外部热量。 | ||
搜索关键词: | 一种 陶瓷 温度传感器 温度 监测 控制 装置 | ||
【主权项】:
一种碳陶瓷温度传感器温度监测控制装置,其特征在于,包括:1)高温超导磁体系统(6),所述高温超导磁体系统(6)包括:高温超导带材(1)和传导冷却超导磁体骨架(2);所述高温超导带材(1)绕制在所述传导冷却超导磁体骨架(2)上;2)传导冷却制冷系统,所述传导冷却制冷系统包括:制冷机冷头(10)、铜导冷连接盘(9)和铜导冷骨架(8);所述制冷机冷头(10)与所述铜导冷连接盘(9)连接;所述铜导冷骨架(8)的一端与所述铜导冷连接盘(9)连接,所述铜导冷骨架(8)用于对所述高温超导磁体系统(6)进行传导冷却;3)低温杜瓦系统,所述低温杜瓦系统包括低温杜瓦(13)和低温杜瓦盖板(12);所述的高温超导磁体系统(6)、制冷机冷头(10)、铜导冷连接盘(9)和铜导冷骨架(8)置于所述的低温杜瓦(13)内;所述的低温杜瓦盖板(12)覆盖在所述低温杜瓦(13)的开口上,形成真空密封结构;4)温度测试装置,所述温度测试装置包括:安装在所述高温超导带材(1)的表面的渗碳陶瓷温度传感器(4),在所述高温超导带材(1)绕制完毕并且所述渗碳陶瓷温度传感器(4)安装后,用环氧固化剂(3)对所述传导冷却超导磁体骨架(2)、所述高温超导带材(1)和所述渗碳陶瓷温度传感器(4)进行浸渍固化;测量用锰铜线(5),所述测量用锰铜线(5)的一端与所述渗碳陶瓷温度传感器(4)的引出线通过焊接而彼此连接;导热绝缘层(7),所述导热绝缘层(7)被包覆在所述铜导冷骨架(8)的外周上,所述测量用锰铜线(5)的中间部分被大致螺旋形状地缠绕在所述导热绝缘层(7)上;温度变送器(14),所述测量用锰铜线(5)的另一端和所述温度变送器(14)电连接;第一光纤转换器(15),所述第一光纤转换器(15)通过信号线与所述温度变送器(14)电连接,所述第一光纤转换器(15)用于将电信号转化成光信号;光纤(16),所述光纤(16)的一端与所述第一光纤转换器(15)光连接,所述光纤(16)用于进行光信号的传输;第二光纤转换器(17),所述光纤(16)的另一端与所述第二光纤转换器(17)光连接,所述第二光纤转换器(17)用于将光信号再转化为电信号;计算机(18),所述计算机(18)通过信号线与所述第二光纤转换器(17)电连接,用于对由所述第二光纤转换器(17)转化过来的电信号进行采集、显示、分析和处理;压接铜片(19),所述压接铜片(19)的中间部分将所述渗碳陶瓷温度传感器(4)直接压靠在所述高温超导带材(1)的表面,所述压接铜片(19)的两端通过焊接直接固定在所述高温超导带材(1)的表面,用以将所述渗碳陶瓷温度传感器(4)紧固在所述高温超导带材(1)的表面;低温高真空脂(20),所述低温高真空脂(20)填充在所述压接铜片(19)与所述渗碳陶瓷温度传感器(4)和所述高温超导带材(1)之间的缝隙中,用于辅助固定所述渗碳陶瓷温度传感器(4);所述温度测试装置还包括整流桥Q、负载RL、二极管D1、三极管VT1、单向可控硅VS、芯片U1和热敏电阻VR1,其特征在于,所述负载RL一端分别连接二极管D1正极和220V交流电一端,二极管D1负极连接电阻R1,电阻R1另一端分别连接三极管VT1集电极、芯片U1引脚4、芯片U1引脚8、电位器RP1、二极管D4负极和电容C3,所述负载RL另一端分别连接电容C1和整流桥Q引脚1,电容C1另一端连接电阻R2,电阻R2另一端分别连接整流桥Q引脚3和220V交流电另一端,整流桥Q引脚4分别连接单向可控硅VS的K极、三极管VT2发射极、电阻R5、电容C2、芯片U1引脚1、热敏电阻VR2、二极管D4正极和电容C3另一端,所述整流桥Q引脚2分别连接单向可控硅VS的A极、二极管D3负极和电阻R3,单向可控硅VS的G极连接二极管D2负极,二极管D2正极连接三极管VT1发射极,三极管VT1基极分别连接二极管D3正极、三极管VT2集电极和电阻R4,三极管VT2基极分别连接电阻R3另一端和电阻R5另一端,所述电阻R4另一端连接芯片U1引脚3,芯片U1引脚5连接电容C2另一端,芯片U1引脚6分别连接待完全RP1滑片、电位器RP1另一端和热敏电阻VR1,芯片U1引脚2分别连接热敏电阻VR1另一端和热敏电阻VR2另一端。
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