[发明专利]片上系统芯片过烧写保护方法及片上系统芯片在审

专利信息
申请号: 201611066774.X 申请日: 2016-11-28
公开(公告)号: CN106782660A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 胡德才;朱健;余方桃;黄新军;何安;邓冏;袁涛;廖健;傅文海 申请(专利权)人: 湖南国科微电子股份有限公司
主分类号: G11C17/18 分类号: G11C17/18;G11C17/16
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 代理人: 逯长明,许伟群
地址: 410100 湖南省*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明是关于一种片上系统芯片过烧写保护方法及片上系统芯片,其中所述方法包括,接收存储单元烧写指令;获取所有存储单元的逻辑状态信息;根据所有所述存储单元的逻辑状态信息,判断所述存储单元烧写指令对应的存储单元的逻辑状态是否为1;当所述存储单元烧写指令对应的存储单元的逻辑状态为1时,控制不执行所述存储单元烧写指令对应的操作。本发明实施例提供的方法,针对每一个存储单元实施写保护,有效避免过烧写引起的数据安全问题,同时,保证使用的灵活性。
搜索关键词: 系统 芯片 写保护 方法
【主权项】:
一种片上系统芯片,所述片上系统芯片包括一次性可编程存储器,所述一次性可编程存储器包括多个存储单元,其特征在于,包括:上电自动读取模块、OTP读写控制模块、写入模块、读取模块及多个与所述存储单元对应的写保护控制单元,其中:多个所述写保护控制单元分别与所述存储单元电连接;所述上电自动读取模块与多个所述写保护控制单元电连接,用于读取写保护控制单元对应的存储单元的逻辑状态信息;所述写入模块与读取模块的一端与所述存储单元电连接,另一端与所述上电自动读取模块电连接;所述OTP读写控制模块与所述上电自动读取模块电连接,用于控制写入模块和读取模块执行写入和读取操作。
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