[发明专利]一种晶圆级封装方法及半导体器件在审
| 申请号： | 201611067765.2 | 申请日： | 2016-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN108122791A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 凌煜昊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆级封装方法及半导体器件，所述方法包括：提供底部晶圆和顶部晶圆，所述底部晶圆具有第一表面和第二表面，所述底部晶圆的第一表面上形成有第一焊垫，所述顶部晶圆具有第一表面和第二表面，所述顶部晶圆的第一表面上形成有第二焊垫；将所述顶部晶圆的第二表面键合到所述底部晶圆的第一表面，使所述底部晶圆和所述顶部晶圆无间隙贴合；形成贯通所述顶部晶圆的第一通孔以露出所述底部晶圆第一表面上的第一焊垫；在所述顶部晶圆的第一表面上和所述第一通孔中形成重布线层以连接所述顶部晶圆第一表面上的第二焊垫与所述底部晶圆第一表面上的第一焊垫。采用本发明的方法，在实现功能的同时，可减少封装尺寸及厚度，节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 第一表面 焊垫 第二表面 封装 半导体器件 通孔 种晶 无间隙贴合 重布线层 键合 贯通 节约 | ||
【主权项】：
一种晶圆级封装方法，其特征在于，包括以下步骤：提供底部晶圆和顶部晶圆，所述底部晶圆具有彼此相对的第一表面和第二表面，所述底部晶圆的第一表面上形成有第一焊垫，所述顶部晶圆具有彼此相对的第一表面和第二表面，所述顶部晶圆的第一表面上形成有第二焊垫；将所述顶部晶圆的第二表面键合到所述底部晶圆的第一表面，使所述底部晶圆和所述顶部晶圆无间隙贴合；形成贯通所述顶部晶圆的第一通孔以露出所述底部晶圆第一表面上的第一焊垫；在所述顶部晶圆的第一表面上和所述第一通孔中形成重布线层以连接所述顶部晶圆第一表面上的第二焊垫与所述底部晶圆第一表面上的第一焊垫。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
