[发明专利]一种RIE制绒的黑硅电池的制备方法有效
| 申请号： | 201611067874.4 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108123009B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 李化阳;张良;李良;王霞;姚玉;任海兵 | 申请（专利权）人： | 镇江大全太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212211 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种RIE制绒的黑硅电池的制备方法，包括如下步骤：步骤S1，去除黑硅片的正表面损伤层，以及对黑硅片的背面进行抛光处理；步骤S2，对所述黑硅片的表面进行磷源扩散，制备PN结；步骤S3，对所述黑硅片进行清洗、RIE制绒，在黑硅片的正表面形成纳米绒面；步骤S4，对所述黑硅片的纳米绒面进行修复，以去除纳米绒面形成过程中的损失层；步骤S5，对所述黑硅片的正表面积淀上减反射膜；步骤S6，对所述黑硅片的背面分别印刷背银、铝浆后烘干，然后在其正表面印刷正银后烧结，即可得到黑硅电池。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 rie 电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种RIE制绒的黑硅电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1，去除黑硅片的正表面损伤层，以及对黑硅片的背面进行抛光处理；步骤S2，对所述黑硅片的表面进行磷源扩散，制备PN结；步骤S3，对所述黑硅片进行清洗、RIE制绒，在黑硅片的正表面形成纳米绒面；步骤S4，对所述黑硅片的纳米绒面进行修复，以去除纳米绒面形成过程中的损失层；步骤S5，对所述黑硅片的正表面积淀上减反射膜；步骤S6，对所述黑硅片的背面分别印刷背银、铝浆后烘干，然后在其正表面印刷正银后烧结，即可得到黑硅电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
