[发明专利]微影方法在审

专利信息
申请号: 201611071435.0 申请日: 2016-11-29
公开(公告)号: CN107045263A 公开(公告)日: 2017-08-15
发明(设计)人: 訾安仁;张庆裕 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F7/34
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司72003 代理人: 王芝艳
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 本公开提供半导体装置的形成方法与材料。此方法包含形成光致抗蚀剂于基板上。光致抗蚀剂包含酸活性基团(ALG)连接至极性单元。此方法亦包含以射线束曝光光致抗蚀剂、烘烤光致抗蚀剂;以及对光致抗蚀剂进行显影工艺。
搜索关键词: 方法
【主权项】:
一种微影方法,包括:形成一光致抗蚀剂于一基板上,其中该光致抗蚀剂包含一酸活性基团连接至一极性单元;以一射线束曝光该光致抗蚀剂;烘烤该光致抗蚀剂;以及对该光致抗蚀剂进行一显影工艺。
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